1)超纯粉末(UHP)  制造半导体的溅射靶需要超纯(5N与6N)钨粉。特别是掺人a放射源(如铀和钍)是很关键的，其浓度必须控制在十亿分之一以下。自由碱离子(例如钠、钾离子)保持在0.1 X 10^-6浓度以下。预选APT通过多次萃取和结晶工序来保证需要的纯度，以上工序必须在清洁的室内条件下完成。

      2)纯钨材料将钨粉先压制和烧结成棒材，然后再生产成线材和片材制品。为达到合适的高致密度，应采用高烧结温度(在2500～3100℃之间)。在这个阶段仍然存在的大部分杂质被挥发掉。将制得的烧结钨棒材在高温下进行旋锻或轧制，以便将棒材进一步拉拔成丝材或轧成片材。这种纯钨材料广泛用于高温应用上，例如高温炉构件。

      3)抗下垂钨丝  白炽灯钨丝必须避免在很高使用温度下的蠕变。灯丝不得下垂。几十年前一次偶然发现，在钨中掺入微量钾可成功地避免白炽灯钨灯丝下垂。

      现在的技术是在还原前将AL，Si和K的混合物加入氧化钨中。在还原过程中，掺杂元素进入到钨粉颗粒中。在随后的烧结过程中，AJ和si蒸发掉了，而K原子太大，以致不能扩散穿过钨晶格，导致钾作为夹杂掺入钨中。在拉丝过程中，微小的钾粒被拉长，最后变成一排排平行于丝轴线的细小钾泡，构成一种伸长的联锁组织。在高温再结晶过程中，钾泡通过和弥散硬化相同的作用，阻止位错运动和垂直于丝轴线的晶界迁移，从而保持组织的稳定。这种特殊的组织是保证灯丝不下垂的原因。

     4)氧化物弥散的钨将金属钨粉和含钍化合物(例如ThO₂或硝酸钍)混合，压制烧结，并进一步加工成丝材和板材。主要用于以下两个方面。

     ①焊接电极，钍具有高的电子发射能力，用于形成稳定电弧。

     ②改善(通过弥散硬化)钨片材和钨丝材的物理性能(例如，应用在汽车抗振灯上)。

      由于放射性钍会对环境造成污染，因此进行了替代品的研制工作。La和ce被认为是潜在的代替焊接电极中钍的理想材料、但是在照明应用上的替代品还没有找到。

      5)钨复合材料将钨粉与其他的金属粉末混合，例如Fe、Ni、Cu和Co等，能够在1500℃的温度下进行液相烧结，形成所谓的“重合金”。该复合材料具有高密度(17～19g/cm³)和高延展性，可用作配重材料、高能穿透体和射线屏蔽材料。

       将金属钨粉压制成多孔性骨架，使铜合金或银熔渗到多孔性骨架中，从而可制成复合材料。W-Cu(W-Ag)复合材料具有高电导率和耐电弧稳定性，因此被用作电触头。最近开发出了W-Cu复合粉末的生产方法，可以直接将W/Cu复合粉末压制成形并烧结，从而不再进行熔渗和切削加工。这对于用作半导体工业的散热材料特别重要。